系列：HEXFET?
FET類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：120A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 150μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：120nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4520pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：230W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.2 毫歐 @ 75A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO220
封裝形式Package：TO-220AB
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：160A
漏源電壓（Vdss）：60V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：120nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4520pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs