系列：HEXFET?
FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：120A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 150μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：170nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6920pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.1 毫歐 @ 75A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO220
封裝形式Package：TO-220AB
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：75V
連續(xù)漏極電流ID：170A
漏源電壓（Vdss）：75V
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：170nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6920pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
供應商器件封裝：TO-220AB
無鉛情況/RoHs：否