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IRFB3207Z
規(guī)格信息：

封裝/外殼：TO220

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：4.1m?

VDS max：75.0V

ID max：120.0A

Package：TO-220

Tj max：175.0°C

QG：120.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.14

Ptot max：300.0W

Polarity：N

Qgd：33.0nC

VGS max：20.0V

Mounting：THT

RthJC max：0.5K/W

ID (@ TC=25°C) max：170.0A

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IRFB3207Z

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFB3207Z	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	338.69 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFB3207ZG	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	338.68 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFB3207ZGPBF	HEXFETPower MOSFET	IRF[International Rectifier]	291.9 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFB3207ZPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	829.1 Kbytes	共11頁(yè)	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF8010PBF,IRFS4321PBF,IRF3704ZCSPBF,IRFB4321PBF,IRL520NS	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFB3207ZPbF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：120A 漏源電壓（Vdss）：75V 柵源極閾值電壓：4V @ 150uA 漏源導(dǎo)通電阻：4.1mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 類(lèi)型：N溝道	Infineon(英飛凌)	330.99 Kbytes	共12頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)