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IRFB4019
規(guī)格信息：

封裝/外殼：TO220

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：95.0m?

VDS max：150.0V

ID max：12.0A

Package：TO-220

Tj max：175.0°C

QG：13.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.59

Ptot max：80.0W

Polarity：N

Qgd：4.1nC

VGS max：20.0V

Mounting：THT

RthJC max：1.88K/W

ID (@ TC=25°C) max：17.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IRFB4019
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IRFB4019N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網339.23 Kbytes共2頁IRFB4019的PDF文件地址 IRFB4019的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRFB4019PBFDIGITAL AUDIO MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網278.45 Kbytes共7頁IRFB4019PBF的PDF文件地址ZXCW8100S28,ZXCD50STEVAL,ZXCD100MOEVAL,PJP75N75,SI7842DP,ZXMP6A17DN8,IRLZ4S,IRF3704ZCSPBF IRFB4019PBF的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRFB4019PBFKey Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網831.93 Kbytes共7頁IRFB4019PBF的PDF文件地址 IRFB4019PBF的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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