穿越小说完本,绝色狂妃仙魅小说,怎样写网络小说

當前位置:
首頁
>
PDF資料
>
IRF1010NS PDF文件_規(guī)格信息

IRF1010NS
規(guī)格信息：

設計資源：IRF1010NS Saber Model IRF1010NS Spice Model

標準包裝：50

類別：分立半導體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：HEXFET®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓（Vdss）：55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：85A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 43A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：120nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：3210pF @ 25V

功率 - 最大值：180W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK

其它名稱：*IRF1010NS

IRF1010NS

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
IRF1010NS	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85Aa?\|)	IRF[International Rectifier]	146.82 Kbytes	共10頁	IRF1010N,SHD225701,SHD244702,SBF50P10-023L,SHD224701,NTQD6968N,MMDF3200Z,MMSF2P02E,MRF151G,2SK2597	產(chǎn)品購買
IRF1010NS	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	263.33 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSPBF	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	298.2 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSPBF	HEXFET?? Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	297.24 Kbytes	共11頁	IRFBA1405PPBF,IRFPG30PBF,IR710PBF,IRLD024PBF,IRF1407SPBF,IRLL024ZPBF,IRFB9N30APBF,IRLR3410PBF,IRFI740GLCPBF,IRF1405_04	產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRL	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK	Infineon Technologies	150.63 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRLPBF	MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC	Infineon Technologies	290.59 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRLPBF	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK	Infineon Technologies	301.67 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRLPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：85A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：55V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	292.62 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRLPBF	MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 85A,D2Pak,PD 180W,VGS +/-20V	Infineon	301.67 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRR	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK	Infineon Technologies	150.63 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010NSTRRPBF	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	298.2 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買