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IRF1010ES
規(guī)格信息：

封裝/外殼：D2PAK

Packing Type：TAPE & REEL LEFT

Moisture Level：1

RDS (on) max：12.0m?

VDS max：60.0V

ID max：59.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Tj max：175.0°C

QG：86.6nC

Budgetary Price ?€/1k：0.45

Ptot max：170.0W

Polarity：N

Qgd：29.3nC

VGS max：20.0V

Mounting：SMD

RthJC max：0.9K/W

ID (@ TC=25°C) max：83.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRF1010ES

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRF1010ES	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84Aa?\|)	IRF[International Rectifier]	123.94 Kbytes	共10頁	SBF50P10-023L,IRF1010E,SHD224701,SHD225701,SHD244702,IPS0551T,SSH6N90A,IRFD120,DE275-501N16,MMDF6N02HD	產(chǎn)品購買
IRF1010ES	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	263.33 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRF1010ESPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	218.72 Kbytes	共10頁	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF8010PBF,IRFS4321PBF,IRF9952PBF,IRF3704ZCSPBF	產(chǎn)品購買
IRF1010ESTRLPBF	MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC	Infineon / IR	223.30 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010ESTRLPBF	MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK	Infineon Technologies	228.64 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF1010ESTRLPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：84A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	222.28 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF1010ESTRR	MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK	Infineon Technologies	228.64 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買