產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源：IRF1010EPBF Saber Model IRF1010EPBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：84A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：130nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：3210pF @ 25V
功率 - 最大值：200W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
其它名稱：*IRF1010EPBF