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IRF054
規(guī)格信息:

制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:45 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-204AE-3

商標(biāo):International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:100 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:180 ns

典型關(guān)閉延遲時間:100 ns

典型接通延遲時間:33 ns

介紹圖IRF054
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IRF054REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)146.17 Kbytes共7頁IRF054的PDF文件地址IRFAE30,IRFF120,IRF034,IRFAG50,IRFAC30,IRFAF50,IRFE420,IRFAE40,IRFF320,IRFE220 IRF054的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF054Simple Drive Requirements ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)48.33 Kbytes共2頁IRF054的PDF文件地址 IRF054的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF054SMDN-CHANNEL POWER MOSFET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)22.59 Kbytes共2頁IRF054SMD的PDF文件地址MRF154,STD100NH03L,STB160NF02L,STB30NS15,STB60NF06,STB80NF03L-04,STE180NE10,AF70N02,STN3NF06 IRF054SMD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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