系列：HEXFET?，StrongIRFET?
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：192A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：255nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：9500pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：441W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.2 毫歐 @ 115A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO220
封裝形式Package：TO-220AB
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：192A
漏源電壓（Vdss）：100V
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
RoHS compliant：yes
Packing Type：TUBE
Moisture Level：NA
RDS (on) max：4.2m?
VDS max：100.0V
ID max：136.0A
Package：TO-220
Tj max：175.0°C
QG：170.0nC
Budgetary Price ?€/1k：1.24
Ptot max：441.0W
Polarity：N
Qgd：45.0nC
RDS (on) (@10V) max：4.2m?
VGS max：20.0V
Mounting：THT
RthJC max：0.34K/W
ID (@ TC=25°C) max：192.0A
ID (@ TC=100°C) max：136.0A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs