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IPS80R2K4P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：2400.0m?

IDpuls max：5.3A

VDS max：800.0V

ID max：2.5A

RthJC max：5.6 K/W

QG (typ @10V)：7.5 nC

Package：IPAK SL (TO-251 SL)

Operating Temperature min max：-55.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.24

Ptot max：22.0W

Polarity：N

Qgd：3.4nC

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：THT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPS80R2K4P7
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IPS80R2K4P7800V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)956.91 Kbytes共13頁IPS80R2K4P7的PDF文件地址 IPS80R2K4P7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPS80R2K4P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.21 Mbytes共13頁IPS80R2K4P7AKMA1的PDF文件地址 IPS80R2K4P7AKMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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