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IPS80R1K4P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：1400.0m?

IDpuls max：8.9A

VDS max：800.0V

ID max：4.0A

Package：IPAK SL (TO-251 SL)

Rth：3.9K/W

QG：10.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.43

Ptot max：32.0W

Polarity：N

Qgd：5.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPS80R1K4P7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPS80R1K4P7800V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)984.63 Kbytes共13頁IPS80R1K4P7的PDF文件地址 IPS80R1K4P7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPS80R1K4P7AKMA1MOSFETInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.11 Mbytes共13頁IPS80R1K4P7AKMA1的PDF文件地址 IPS80R1K4P7AKMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPS80R1K4P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.22 Mbytes共13頁IPS80R1K4P7AKMA1的PDF文件地址 IPS80R1K4P7AKMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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