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IPS65R950C6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：4.5A

Rds On-漏源導通電阻：855mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：15.3nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：37W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：6.22mm

長度：6.73mm

系列：CoolMOSC6

晶體管類型：1N-Channel

寬度：2.38mm

下降時間：13.6ns

MXHTS：85412999

上升時間：5.2ns

典型關(guān)閉延遲時間：41ns

典型接通延遲時間：6.6ns

商標名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPS65R950C6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPS65R950C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	672.13 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPS65R950C6AKMA1	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251	Infineon Technologies	666.56 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPS65R950C6AKMA1	POWER BIPOLAR TRANSISTOR	Infineon Technologies	666.56 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買