制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-251-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.26 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:10.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:28 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:CoolMOS
封裝:Tube
高度:6.22 mm
長(zhǎng)度:6.73 mm
系列:CoolMOS C6
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:2.38 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:18.2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:5.9 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
典型接通延遲時(shí)間:7.7 ns
零件號(hào)別名:IPS65R1K4C6AKMA1 SP000991120
單位重量:340 mg