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IPS70R1K4P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：1400.0m?

IDpuls max：8.2A

VDS max：700.0V

ID max：4.0A

Package：IPAK SL (TO-251 SL)

Rth：5.5K/W

QG：4.7nC

Budgetary Price ?€/1k：0.21

Ptot max：22.7W

Polarity：N

Qgd：1.7nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPS70R1K4P7S

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPS70R1K4P7S	700V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	933.5 Kbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPS70R1K4P7SAKMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.70 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPS70R1K4P7SAKMA1	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3	Infineon Technologies	927.33 Kbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPS70R1K4P7SAKMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 40uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：22.7W 類(lèi)型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.14 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)