不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2660pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：278W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：99 毫歐 @ 18.1A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：PG-TO220-3
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：37.9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：119nC @ 10V
安裝風格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：37.9A
Rds On-漏源導通電阻：90mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：119nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：278W
通道模式：Enhancement
商標名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：15.65mm
長度：10mm
系列：CoolMOSC6
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.4mm
下降時間：6ns
上升時間：12ns
典型關閉延遲時間：75ns
典型接通延遲時間：15ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs