制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:PG-TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續(xù)漏極電流:24.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:13 V
Qg-柵極電荷:47.2 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:152 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:CoolMOS
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
系列:CoolMOS CE
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時間:7.5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:8.5 ns
工廠包裝數(shù)量:500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:54 ns
典型接通延遲時間:9.5 ns
零件號別名:IPP50R190CEXKSA1 SP000850802
單位重量:6 g