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IPP50R299CP
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO220-3

安裝風(fēng)格:ThroughHole

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500V

Id-連續(xù)漏極電流:12A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:299mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:104W

通道模式:Enhancement

高度:15.65mm

長(zhǎng)度:10mm

系列:CoolMOSCE

晶體管類型:1N-Channel

寬度:4.4mm

下降時(shí)間:12ns

上升時(shí)間:14ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80ns

典型接通延遲時(shí)間:35ns

Packing Type:TUBE

Moisture Level:NA

RDS (on) max:299.0m?

IDpuls max:26.0A

VDS max:500.0V

ID max:12.0A

Package:TO-220

Rth:1.2K/W

QG:23.0nC

Budgetary Price ?€/1k:0.98

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:104.0W

Polarity:N

RthJA max:62.0K/W

VGS(th) min max:2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPP50R299CP
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IPP50R299CPN-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)338.53 Kbytes共2頁IPP50R299CP的PDF文件地址 IPP50R299CP的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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