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IPP60R040C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

安裝風格：ThroughHole

高度：15.65mm

長度：10mm

寬度：4.4mm

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：40.0m?

IDpuls max：211.0A

VDS max：600.0V

ID max：50.0A

Package：TO-220

Rth：0.55K/W

QG：107.0nC

Budgetary Price ?€/1k：6.59

Ptot max：227.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPP60R040C7

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPP60R040C7	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1944.04 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPP60R040C7	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	338.29 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPP60R040C7_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1944.04 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPP60R040C7XKSA1	MOSFET HIGH POWER_NEW	Infineon Technologies	1.91 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPP60R040C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3	Infineon Technologies	1.91 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買