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IPB110N06LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標 578 :Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:78 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:11 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:158 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:18 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:19 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關閉延遲時間:45 ns

典型接通延遲時間:8 ns

零件號別名:IPB110N06LGXT

介紹圖IPB110N06LG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB110N06LGOptiMOS?? Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)448.32 Kbytes共10頁IPB110N06LG的PDF文件地址IPD350N06LG,IPB048N06LG,IPD400N06NG,IPB050N06NG,IPD640N06LG,IPB065N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06LG,IPP80N04S2-04,IPB070N06NG IPB110N06LG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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