魔天记忘语小说,yy玄幻小说排行榜完本,盗墓笔记第二季

IPB107N20N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:88 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導通電阻:10.7 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Qg-柵極電荷:65 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

配置:Single

正向跨導 - 最小值:141 S, 71 S

最小工作溫度:- 55 C

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

商標名:OptiMOS

零件號別名:IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GXT SP000676406

IPB107N20N3G

型號	功能描述	生產廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產品購買
IPB107N20N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	INFINEON[Infineon Technologies AG]	452.77 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3G	OptiMOS 3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	739.46 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	696.05 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3G_10	OptiMOS 3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	739.46 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3G_11	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	696.05 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3GATMA1	MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	630.20 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3GATMA1	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3	Infineon Technologies	690.41 Kbytes	共11頁	產品購買
IPB107N20N3GATMA1	MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK	Infineon Technologies	690.41 Kbytes	共11頁	產品購買