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IPA60R125P6
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導通電阻:113 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:56 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:34 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:16.15 mm

長度:10.65 mm

系列:CoolMOS P6

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.85 mm

商標:Infineon Technologies

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:9 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:44 ns

典型接通延遲時間:14 ns

零件號別名:IPA60R125P6XKSA1 SP001114652

單位重量:6 g

IPA60R125P6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA60R125P6	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.52 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125P6	Increased MOSFET dv/dt ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2794.84 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125P6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2794.84 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125P6XKSA1	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM	Infineon Technologies	2.65 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125P6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP	Infineon Technologies	2.74 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買

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