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IPA60R099C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

安裝風格：ThroughHole

高度：16.15mm

長度：10.65mm

寬度：4.85mm

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：99.0m?

IDpuls max：83.0A

VDS max：600.0V

ID max：12.0A

Package：TO-220 FullPAK

Rth：3.79K/W

QG：42.0nC

Budgetary Price ?€/1k：2.14

Ptot max：33.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：80.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPA60R099C7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPA60R099C7Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1139.77 Kbytes共15頁IPA60R099C7的PDF文件地址 IPA60R099C7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPA60R099C7XKSA1MOSFET HIGH POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.12 Mbytes共14頁IPA60R099C7XKSA1的PDF文件地址 IPA60R099C7XKSA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPA60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FPInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.12 Mbytes共14頁IPA60R099C7XKSA1的PDF文件地址 IPA60R099C7XKSA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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