FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：15nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：342pF @ 100V
FET 功能：超級結(jié)
功率耗散（最大值）：27.2W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：650 毫歐 @ 1.8A，13V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
封裝/外殼：PG-TO220-3
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：9A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：590mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：15nC
最小工作溫度：-40C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：27.2W
通道模式：Enhancement
商標名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：16.15mm
長度：10.65mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.85mm
下降時間：13ns
上升時間：5ns
典型關(guān)閉延遲時間：27ns
典型接通延遲時間：6ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs