FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：18.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 510μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：47.2nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1137pF @ 100V
FET 功能：超級(jí)結(jié)
功率耗散（最大值）：32W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 6.2A，13V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
封裝/外殼：PG-TO220-3
Packing Type：TUBE
Moisture Level：NA
RDS (on) max：190.0m?
IDpuls max：63.0A
VDS max：500.0V
ID max：18.5A
Package：TO-220 FullPAK
Rth：3.9K/W
QG：47.2nC
Budgetary Price ?€/1k：0.62
Operating Temperature min：-55.0°C
Ptot max：32.0W
Polarity：N
Pin Count：3.0Pins
RthJA max：80.0K/W
Mounting：THT
RthJC max：3.9K/W
VGS(th) min max：2.5V 3.5V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs