FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：231pF @ 100V
FET 功能：超級結
功率耗散（最大值）：25.7W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：950 毫歐 @ 1.2A，13V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO220FP
封裝/外殼：PG-TO220-3
安裝風格：ThroughHole
通道數量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：500V
Id-連續(xù)漏極電流：4.3A
Rds On-漏源導通電阻：800mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：10.5nC
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：26W
高度：16.15mm
長度：10.65mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.85mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs