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IPA60R125C6 PDF文件_規(guī)格信息

IPA60R125C6
規(guī)格信息：

RoHS：符合 RoHS

34 W：Pd - 功率消耗

安裝風格：Through Hole

封裝/外殼：PG-TO220-3

系列：IPA60R125

品牌：InFineon Technologies

下降時間：7 ns

最低工作溫度：- 55 C

上升時間：12 ns

標準包裝數(shù)量：500

晶體管極性：N-Channel

公司名稱：CoolMOS

標準斷開延遲時間：83 ns

Vds - 漏-源擊穿電壓：600 V

Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V

Id - C連續(xù)漏極電流：30 A

Rds On - 漏-源電阻：125 m0hms

Vgs th - 門源門限電壓：3 V

96 nC：Qg - 閘極充電

最高工作溫度：+ 150 C

通道數(shù)量：1Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：30A

Rds On-漏源導通電阻：110mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：96nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：34W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：16.15mm

長度：10.65mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.85mm

典型關閉延遲時間：83ns

典型接通延遲時間：15ns

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA60R125C6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2084.63 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1313.1 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	266.15 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6E8191XKSA1	MOSFET N-CH TO220-3	Infineon Technologies	1.28 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6XKSA1	MOSFET N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6	Infineon Technologies	1.25 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
IPA60R125C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共18頁	產(chǎn)品購買

IPA60R125C6相關型號PDF文件資料

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