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FQPF9N50
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):500V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1450pF @ 25V

功率耗散(最大值):50W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):730 毫歐 @ 2.65A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-220F

封裝/外殼:TO-220-3 整包

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FQPF9N50
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQPF9N50500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)717.93 Kbytes共8頁FQPF9N50的PDF文件地址STD2NC50,STP20NM50FD,STW15NB50,FQB2N50,FQNL1N50B,FQPF5N50,IRFS450B,IRF430,FQPF5N50CF,FQPF9N50CF FQPF9N50的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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