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FQD2N60CTM
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.9 A

Rds On-漏源導通電阻:3.6 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.39 mm

長度:6.73 mm

系列:FQD2N60C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:6.22 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:5 S

下降時間:28 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:25 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:24 ns

典型接通延遲時間:9 ns

零件號別名:FQD2N60CTM_NL

單位重量:260 mg

FQD2N60CTM

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	742.85 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	1.50 Mbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET N-CH 600V 1.9A	ON Semiconductor	442.44 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK	ON Semiconductor	442.44 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買