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FQD20N06L
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:17.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:60 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:70 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:165 ns

系列:FQD20N06

典型關閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:10 ns

FQD20N06L

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FQD20N06L	60V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	664.69 Kbytes	共9頁	HUF76409D3,HUFA76439P3,HUF76423P3,RFL2N06L,FQP20N06L,FQPF20N06L,HUF76409P3,HUFA76407DK8,HUFA76443P3,HUF76429D3	產(chǎn)品購買
FQD20N06LE	60V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	656.13 Kbytes	共9頁	HUF76409D3,HUFA76439P3,HUF76423P3,RFL2N06L,FQP20N06L,FQPF20N06L,HUF76409P3,HUFA76407DK8,HUFA76443P3,HUF76429D3	產(chǎn)品購買
FQD20N06LE	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	899.07 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
FQD20N06LTF	N-Channel QFET MOSFET 60 V, 17.2 A, 42 m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1298.25 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD20N06LTM	N-Channel QFET?? MOSFET 60 V, 17.2 A, 42 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1298.25 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買