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FQD1N80
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Rds On-漏源導通電阻:20 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:25 ns

系列:FQD1N80

典型關閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:10 ns

FQD1N80

型號	功能描述	生產廠商	PDF大小	PDF頁數	相關型號	產品購買
FQD1N80	N-Channel QFET MOSFET 800 V, 1.0 A, 20	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	760.79 Kbytes	共9頁		產品購買
FQD1N80	800V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	635.94 Kbytes	共9頁	STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP7N80,STP3NK80Z,FQP3N80C	產品購買
FQD1N80_09	800V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	737.3 Kbytes	共9頁		產品購買
FQD1N80TF	N-Channel QFET MOSFET 800 V, 1.0 A, 20	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	760.79 Kbytes	共9頁		產品購買
FQD1N80TM	MOSFET Power MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	1.42 Mbytes	共12頁		產品購買
FQD1N80TM	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK	ON Semiconductor	1.42 Mbytes	共11頁		產品購買
FQD1N80TM	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：800V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導通電阻：20Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類型：N溝道	ON(安森美)	1.42 Mbytes	共11頁		產品購買