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FQD2N60C PDF文件_規(guī)格信息

FQD2N60C
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.7 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:28 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:25 ns25 ns

系列:FQD2N60

典型關(guān)閉延遲時間:24 ns

典型接通延遲時間:9 ns

FQD2N60C

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQD2N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	863.86 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
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FQD2N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	617.97 Kbytes	共9頁	STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCH47N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B	產(chǎn)品購買
FQD2N60C	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	748.29 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60C	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	742.85 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
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FQD2N60C	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1058.94 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60C_09	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	768.23 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60CTF	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	748.29 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	742.85 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	1.50 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET N-CH 600V 1.9A	ON Semiconductor	442.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD2N60CTM-WS	MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK	ON Semiconductor	442.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買