通道類型:N
最大連續(xù)漏極電流:9 A
最大漏源電壓:900 V
最大漏源電阻值:1.4 0hms
最小柵閾值電壓:3V
最大柵源電壓:-30 V、+30 V
封裝類型:TO-3PN
安裝類型:通孔
晶體管配置:單
引腳數(shù)目:3
通道模式:增強(qiáng)
類別:功率 MOSFET
最大功率耗散:280 W
高度:18.9mm
每片芯片元件數(shù)目:1
尺寸:15.8 x 5 x 18.9mm
寬度:5mm
系列:QFET
晶體管材料:Si
典型柵極電荷@Vgs:45 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds:2100 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:100 ns
典型接通延遲時(shí)間:50 ns
最低工作溫度:-55 °C
最高工作溫度:+150 °C
長(zhǎng)度:15.8mm
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
FQA9N90C_F109
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA9N90C_F109 | 900V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 798.35 Kbytes | 共9頁(yè) | STW12NK90Z,STY30NK90Z,STB9NK90Z,STW11NK90Z,FQP4N90,IXTU01N100D,2SK3581-01L,IRF7F3704,ZXMN6A08G,FQP13N50CF | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
| FQA9N90C_F109 | 900V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 804.61 Kbytes | 共8頁(yè) | STY30NK90Z,STP3HNK90Z,STB9NK90Z,STP6NK90Z_07,STW11NK90Z,STE30NK90Z_06,FQP4N90,FQA6N90C_07,FQA9N90C_06,FQA8N90C_07 | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
| FQA9N90C-F109 | MOSFET 900V N-Channel QFET | ON Semiconductor / Fairchild | 2.93 Mbytes | 共11頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| FQA9N90C-F109 | MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P | ON Semiconductor | 1.93 Mbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| FQA9N90C-F109 | MOSFET N-CH 900V 9A TO3P | ON Semiconductor | 1.93 Mbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| FQA9N90C-F109 | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):9A 漏源電壓(Vdss):900V 柵源極閾值電壓:5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 類型:N溝道 | ON(安森美) | 2.86 Mbytes | 共8頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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