FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2080pF @ 25V
功率耗散(最大值):240W(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.9 歐姆 @ 4A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-3P
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
FQA8N90C
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| FQA8N90C | 900V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 691.7 Kbytes | 共8頁(yè) | FQA7N90,FQP2NA90,STW12NK90Z,STB3NC90Z,FQA7N90M,FQP3N90,FQP4N90C,STW6NC90Z,FQA9N90,FQP5N90 | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
| FQA8N90C | 900V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 800.75 Kbytes | 共9頁(yè) | STW12NK90Z,STY30NK90Z,STB9NK90Z,STW11NK90Z,FQP4N90,FQA9N90C_06,FQA6N90C_06,FQA7N90M_06,NTLJF3118N,GFB75N03 | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
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| FQA8N90C-F109 | N-Channel QFET?? MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 ?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 1081.94 Kbytes | 共8頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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