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FQA8N90C
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):900V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2080pF @ 25V

功率耗散(最大值):240W(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.9 歐姆 @ 4A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-3P

封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FQA8N90C
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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FQA8N90C-F109N-Channel QFET?? MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 ?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)1081.94 Kbytes共8頁(yè)FQA8N90C-F109的PDF文件地址 FQA8N90C-F109的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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