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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3PN-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.45 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:QFET

封裝:Tube

高度:20.1 mm

長度:16.2 mm

系列:FQA8N100C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:5 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S

下降時(shí)間:80 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:95 ns

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:122 ns

典型接通延遲時(shí)間:50 ns

單位重量:6.401 g