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FQA7N80C_F109
規(guī)格信息：

通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：7 A

最大漏源電壓：800 V

最大漏源電阻值：1.9 0hms

最小柵閾值電壓：3V

最大柵源電壓：-30 V、+30 V

封裝類型：TO-3PN

安裝類型：通孔

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：198 W

典型接通延遲時間：35 ns

典型關斷延遲時間：50 ns

典型輸入電容值@Vds：1290 pF@ 25 V

典型柵極電荷@Vgs：10 V 時，27 常閉

晶體管材料：Si

系列：QFET

寬度：5mm

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+150 °C

長度：15.8mm

高度：18.9mm

尺寸：15.8 x 5 x 18.9mm

每片芯片元件數(shù)目：1

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FQA7N80C_F109	800V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	791.72 Kbytes	共9頁	FQA7N80_06,2SK3592-01L,STW11NK90Z,STD20NF06,SI1058X,FDMC6890NZ,STP80NF12_07,STP36NF06L,STB70NFS03L_06,STD17NF03L_07	產(chǎn)品購買
FQA7N80C_F109	800V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	798.36 Kbytes	共8頁	STQ1NK80ZR-AP,FQA7N80_06,STB12NK80Z_07,FQA7N80C_06,STP3NK80Z_06,FQA8N80_06,STP8NK80Z_07,FQA8N80C_06,STW13NK80Z_06,FQA10N80C_06	產(chǎn)品購買
FQA7N80C-F109	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series	ON Semiconductor / Fairchild	2.12 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQA7N80C-F109	MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P	ON Semiconductor	1.91 Mbytes	共9頁		產(chǎn)品購買