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FQA9N90C
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):900V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2730pF @ 25V

功率耗散(最大值):280W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4.5A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-3P

封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FQA9N90C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQA9N90C900V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)680.52 Kbytes共8頁FQA9N90C的PDF文件地址FQA7N90,FQP2NA90,FQP8N90C,STB3NC90Z,FQA7N90M,FQP3N90,STW12NK90Z,STW6NC90Z,FQA9N90,FQP5N90 FQA9N90C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQA9N90CThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網(wǎng)2270.04 Kbytes共7頁FQA9N90C的PDF文件地址 FQA9N90C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQA9N90C-F109MOSFET 900V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO-天天IC網(wǎng)2.93 Mbytes共11頁FQA9N90C-F109的PDF文件地址 FQA9N90C-F109的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQA9N90C-F109MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)1.93 Mbytes共9頁FQA9N90C-F109的PDF文件地址 FQA9N90C-F109的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQA9N90C-F109連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):9A 漏源電壓(Vdss):900V 柵源極閾值電壓:5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W 類型:N溝道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO-天天IC網(wǎng)2.86 Mbytes共8頁FQA9N90C-F109的PDF文件地址 FQA9N90C-F109的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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