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FDP51N25
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Id-連續(xù)漏極電流:51 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:320 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FDP51N25

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:130 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:465 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:98 ns

典型接通延遲時間:62 ns

單位重量:1.800 g

FDP51N25

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDP51N25	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	667.33 Kbytes	共8頁	STP8NS25,FQD6N25,FQPF27N25,IRF654B,IRF614,FQA16N25C,FQB16N25,IRFM214B,FQAF16N25C,ZVN4525E6	產(chǎn)品購買
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FDP51N25	N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 51 A, 60 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	518.94 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FDP51N25	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	298.83 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
FDP51N25_08	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	2994.9 Kbytes	共10頁	FDB2710,FDP2710,FQB16N25C,FDP33N25_07,STRH40N25FSY3,FDA69N25,FDD6N25,FDB33N25_06,FDMS2734,FDS2734	產(chǎn)品購買