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FDP39N20
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:39 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:66 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:251 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FDP39N20

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:28.5 S

下降時間:150 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:160 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:150 ns

典型接通延遲時間:30 ns

單位重量:1.800 g

FDP39N20

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDP39N20	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	908.49 Kbytes	共8頁	STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FDD2612,FQAF34N20	產(chǎn)品購買
FDP39N20	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1076.04 Kbytes	共10頁	2N6784,FDB2614,STW34NB20_04,FDMS2672,PJD06N03,2SK3680-01,STP80NF06,2N6784,ZXMN10A08G,FCP16N60	產(chǎn)品購買
FDP39N20	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	298.83 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
FDP39N20	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	328.12 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDP39N20_07	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1076.04 Kbytes	共10頁	2N6784,FDB2614,STW34NB20_04,FDMS2672,PJD06N03,2SK3680-01,STP80NF06,2N6784,ZXMN10A08G,FCP16N60	產(chǎn)品購買