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制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:62 A
Rds On-漏源導通電阻:27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:260 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PowerTrench
封裝:Tube
高度:16.3 mm
長度:10.67 mm
系列:FDP2614
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:162 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:284 ns
工廠包裝數量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:103 ns
典型接通延遲時間:77 ns
單位重量:1.800 g
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