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FDP2614
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:62 A

Rds On-漏源導通電阻:27 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:260 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FDP2614

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:162 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:284 ns

工廠包裝數量:800

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:103 ns

典型接通延遲時間:77 ns

單位重量:1.800 g

介紹圖FDP2614
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDP2614200V N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網349.21 Kbytes共8頁FDP2614的PDF文件地址FDS2670_01,FDB2614,STB19NF20,FDS8949,FDP8860,FDB8447L,FDD6672A_01,FDS6688_04,FDC645N_01,FDS6912_0007 FDP2614的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FDP2614isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網328.02 Kbytes共2頁FDP2614的PDF文件地址 FDP2614的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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