制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:222 A
Rds On-漏源導通電阻:2.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:152 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:214 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:FDP2D3N10C
晶體管類型:1 N-Channel
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:222 S
下降時間:32 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:35 ns
工廠包裝數量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:74 ns
典型接通延遲時間:42 ns
單位重量:1.800 g