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FDP33N25
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Id-連續(xù)漏極電流:33 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:94 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:235 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長(zhǎng)度:10.67 mm

系列:FDP33N25

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

類(lèi)型:MOSFET

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:26.6 S

下降時(shí)間:120 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:230 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns

典型接通延遲時(shí)間:35 ns

單位重量:1.800 g

FDP33N25

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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FDP33N25	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	298.83 Kbytes	共14頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDP33N25_07	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	467.14 Kbytes	共10頁(yè)	FDB2710,FDP2710,FQB16N25C,STRH40N25FSY3,FDA69N25,FDD6N25,FDB33N25_06,FDMS2734,FDS2734,FDA2712	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)