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FDN5632N_F085
規(guī)格信息：

通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：1.7 A

最大漏源電壓：60 V

最大漏源電阻值：135 m0hms

最大柵閾值電壓：3V

最小柵閾值電壓：1V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：SOT-23

安裝類型：表面貼裝

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1.1 W

長度：2.92mm

每片芯片元件數(shù)目：1

尺寸：2.92 x 1.4 x 0.94mm

寬度：1.4mm

系列：PowerTrench

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：9.2 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：475 pF @ 15 V

典型關(guān)斷延遲時間：5.2 ns

典型接通延遲時間：15 ns

最低工作溫度：-55 °C

高度：0.94mm

最高工作溫度：+150 °C

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

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FDN5632N_F085	N-Channel Logic Level PowerTrench?? MOSFET 60V, 1.6A, 98m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	267.41 Kbytes	共7頁	HUF76429D3_05,FDC855N,FDS6912_0007,FDS6912A_03,MLP1N06CL,FDB8832,FDP5800,FDN361BN,RFD4N06L,FDR4420A_07	產(chǎn)品購買
FDN5632N-F085	N-Channel Logic Level PowerTrench?? MOSFET 60V, 1.6A, 98m??	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	340.22 Kbytes	共3頁		產(chǎn)品購買
FDN5632N-F085	MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A	ON Semiconductor / Fairchild	457.50 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FDN5632N-F085	MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3	ON Semiconductor	599.82 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FDN5632N-F085	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3	ON Semiconductor	599.82 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買