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FDN360P
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:63 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.12 mm

長(zhǎng)度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDN360P

晶體管類型:1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.4 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S

下降時(shí)間:13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns

典型接通延遲時(shí)間:6 ns

零件號(hào)別名:FDN360P_NL

單位重量:30 mg

FDN360P

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDN360P	Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	231.67 Kbytes	共8頁(yè)	FDR858P,FDS6375,FDS6575,FDN336P,FDC658P,SI4425DY,FDS6675,FDC6327C,FDS6875,SI9430DY	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDN360P	SuperSOT-3	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	357.36 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDN360P-NBGT003B	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	ON Semiconductor	253.23 Kbytes	共7頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)