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FDN359BN
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:46 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.12 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDN359BN

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1.4 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間:5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns

單位重量:30 mg

FDN359BN

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
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