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FDN337N
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.12 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDN337N

晶體管類型:1 N-Channel

類型:FET

寬度:1.4 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:13 S

下降時(shí)間:10 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns

典型接通延遲時(shí)間:4 ns

零件號別名:FDN337N_NL

單位重量:36 mg

FDN337N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDN337N	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	270.42 Kbytes	共4頁	NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L	產(chǎn)品購買
FDN337N	Contains all support circuitry needed for the ADS1148/ADS1248	TI1[Texas Instruments]	1836.52 Kbytes	共34頁		產(chǎn)品購買
FDN337N	SuperSOT-3	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	266.48 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDN337N	Contains all support circuitry needed for the ADS1146/ADS1246	TI1[TI store]	2330.22 Kbytes	共27頁		產(chǎn)品購買
FDN337N-F169	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3	ON Semiconductor	336.93 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
FDN337N-NL	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1855.33 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買