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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓20 V

閘/源擊穿電壓+/- 12 V

漏極連續(xù)電流7.2 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）0.026 Ohms

配置Dual Dual Source

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體MLP-6

封裝Reel

下降時間13 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散2.2 W

上升時間10 ns

工廠包裝數(shù)量3000

典型關(guān)閉延遲時間16 ns