制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
Id-連續(xù)漏極電流:2.7 A
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:26 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:5 nC
Pd-功率耗散:500 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SSOT-3
封裝:Reel
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
下降時間:2 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:11 S
上升時間:5 ns
系列:FDN359
工廠包裝數(shù)量:3000
典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
典型接通延遲時間:7 ns