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FDN5632N-F085
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:98 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:UltraFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.12 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDN5632N_F085

晶體管類型:1 N-Channel

類型:Power Trench MOSFET

寬度:1.4 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:1.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:1.7 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:5.2 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:FDN5632N_F085

單位重量:30 mg

介紹圖FDN5632N-F085
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