制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
Id-連續(xù)漏極電流:44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:307 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.83 mm
長(zhǎng)度:10.67 mm
系列:FDB44N25
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
寬度:9.65 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:32 S
下降時(shí)間:115 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:400 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:85 ns
典型接通延遲時(shí)間:55 ns
單位重量:1.312 g
FDB44N25TM
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB44N25TM | 250V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 722.21 Kbytes | 共8頁(yè) | STP8NS25,FQD6N25,FQPF27N25,IRF654B,IRF614,FQA16N25C,FQB16N25,IRFM214B,FQAF16N25C,ZVN4525E6 | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
| FDB44N25TM | DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 298.83 Kbytes | 共14頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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