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FDB3502
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:47 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FDB3502

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.65 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:13 ns

典型接通延遲時間:9 ns

單位重量:1.312 g

FDB3502

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDB3502	35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS	DEC[DIOTEC Electronics Corporation]	452.61 Kbytes	共2頁	FDB300,FDB600,FDB2500P,FWB150,FSB200,FDI100	產(chǎn)品購買
FDB3502	N-Channel Power Trench?? MOSFET 75V, 14A, 47m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	329.09 Kbytes	共6頁	FDMS8690_07,STP14NF12_06,STB160N75F3,STP14NK50Z_06,STB15NM60N,STB75NF75,STB75NF75L_07,2SK2644-01,STB11NM80_07,BLV1N60	產(chǎn)品購買
FDB3502P	35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS	DEC[DIOTEC Electronics Corporation]	451.58 Kbytes	共2頁	FDB300,FDB3500,FDB600,FDB2500P,FWB150,FSB200,FDI100	產(chǎn)品購買